IXYS IXGP30N60C3D4

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 20A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

220W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*30N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

220W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

60 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

160 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

38nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

16ns/42ns

开关能量

270μJ (on), 90μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅