IXYS IXTA02N250HV

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

1.770002g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450 Ω @ 50mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

116pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.4nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

2500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

2.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.6A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅