IXTH1N200P3
IXTH1N200P3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥65.302936

  • 10

    ¥61.606543

  • 100

    ¥58.119381

  • 500

    ¥54.829605

  • 1000

    ¥51.726042

IXYS IXTH1N200P3

  • 收藏
  • 对比

型号

IXTH1N200P3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTH1N200P3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXTH1N200P3
IXTH1N200P3 IXYS MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247

单价: $

合计:

库存:262

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXTH1N200P3详情

IXYS IXTH1N200P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    125W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    40 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    646pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23.5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    2000V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: IXYS IXTH1N200P3.

右边的3个型号有着和IXYS & IXTH1N200P3相似的参数规格。

查看更多

IXTH1N200P3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z