IXYS IXTK120P20T

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tube

系列

TrenchP™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.04kW

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

73000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

740nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

连续放电电流(ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅