IXYS IXTN30N100L

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

4

电阻

450MOhm

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 15A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

545nC @ 20V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

78 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

雪崩能量等级（Eas）

2000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅