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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥339.976138
10
¥320.732209
100
¥302.577555
500
¥285.450525
1000
¥269.292945
IXTN8N150L详情
IXYS IXTN8N150L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
545W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
NICKEL
附加功能
UL 认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6 Ω @ 4A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
250nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
1500V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
7.5A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
1500V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXTN8N150L拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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