IXYS MTI200WX75GD-SMD

工厂交货时间

28 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

ISOPLUS-DIL™

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

255A Tc

Number of Elements

6

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

24

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍镀锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G24

配置

3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 275μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 38V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

255A

漏极-源极导通最大电阻

0.0013Ohm

DS 击穿电压-最小值

75V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard