IXYS MTI85W100GC-SMD

工厂交货时间

28 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

17-SMD, Gull Wing

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Number of Elements

6

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

终止次数

17

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

JESD-30代码

R-PDSO-G17

配置

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 150μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

88nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

漏极-源极导通最大电阻

0.00395Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard