VMM1500-0075P
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IXYS VMM1500-0075P

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型号

VMM1500-0075P

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-VMM1500-0075P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Y3-Li

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI

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VMM1500-0075P
VMM1500-0075P IXYS MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI

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VMM1500-0075P详情

IXYS VMM1500-0075P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Y3-Li

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1500A

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2003

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    7

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    VMM

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    0.8m Ω @ 1200A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 10mA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2480nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    75V

  • 连续放电电流(ID)

    1.5kA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1500A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0008Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    75V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: IXYS VMM1500-0075P.

VMM1500-0075P拓展信息

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