IXYS VMM300-03F

工厂交货时间

32 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y3-DCB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.5kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

VMM

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1500W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.6m Ω @ 145A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 30mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1440nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

连续放电电流(ID)

290A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1160A

DS 击穿电压-最小值

300V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant