IXYS VMM85-02F

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y4-M6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

370W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

VMM

JESD-30代码

R-PUFM-X7

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

370W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

450nC @ 10V

上升时间

80ns

漏源电压 (Vdss)

200V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

84A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

83A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

335A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant