IXYS VMO650-01F

工厂交货时间

28 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y3-DCB

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

800 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

6V @ 130mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2500W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

690A Tc

系列

HiPerFET™

已出版

2000

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

690A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

VMO

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5kW

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8m Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

59000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2300nC @ 10V

上升时间

500ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

200 ns

连续放电电流(ID)

690A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0018Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2780A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅