IXYS VWM350-0075P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

V2-PAK

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

24

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

35

JESD-30代码

R-XUFM-X24

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 250A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

450nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

连续放电电流(ID)

340A

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

DS 击穿电压-最小值

75V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准