Microchip APT40GP90JDQ2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.9

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

64 A

Base Product Number

APT40GP90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900 V

Voltage Rating (DC)

900 V

RoHS

Compliant

Pd - Power Dissipation

284 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Continuous Collector Current at 25 C

64 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

900 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

284 W

额定电流

100 A

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

284

功率 - 最大

284 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

900 V

最大集电极电流

64 A

最大集极截止电流

350 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V

输入电容

3.3 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 40A

连续集电极电流

64

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.3 nF @ 25 V

产品

IGBT碳化硅模块

辐射硬化

无

无铅

无铅