Microchip APT47GA60JD40

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

面板安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

87 A

Base Product Number

APT47GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

283 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

87 A

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

系列

44

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

零件状态

活跃

定位的数量

2

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

283 W

技术

Si

额定电流

1A (AC/DC)

触点表面处理

--

终端样式

焊片

执行器类型

Flatted (6.35mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

283 W

甲板数量

3

操作力

5.761 ~ 83gfm

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

87 A

最大集极截止电流

275 µA

触点定时

Non-Shorting (BBM)

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

索引停止

固定式

每层电路

DPDT

面板后深度

43.61mm

输入电容

6.32 nF

每个甲板的杆数

2

投掷角度

30°

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 47A

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.32 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

特征

--

产品类别

IGBT模块

执行器长度

11.10mm

辐射硬化

无