APT50GT120JRDQ2详情
Microchip APT50GT120JRDQ2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
供应商器件包装
ISOTOP®
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
72 A
厂商
微芯片技术
Product Status
Obsolete
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
379 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
72 A
Mounting Styles
螺钉安装
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Thunderbolt IGBT®
包装
Tube
子类别
IGBTs
配置
Single
功率 - 最大
379 W
输入
Standard
产品类别
IGBT晶体管
最大集极截止电流
400 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
2.5 nF @ 25 V
产品类别
IGBT晶体管
APT50GT120JRDQ2拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。