Microchip APT60GA60JD60

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

质量

30.000004 g

Manufacturer Part Number

BSTN47B60GY

Manufacturer

Just Power Semiconductors

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

112 A

Base Product Number

APT60GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

356 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

112 A

Mounting Styles

底座安装

Brand

Microchip Technology / Atmel

Tradename

POWER MOS 8, ISOTOP

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

356 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

356 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

112 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

275 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

8.01 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 62A

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

8.01 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

辐射硬化

无