Microchip APT60GT60JRDQ3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Package

Bulk

厂商

EDAC Inc.

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

105 A

Base Product Number

APT60GT60

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Voltage Rating (DC)

600 V

RoHS

Compliant

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

379 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Brand

Microchip Technology / Atmel

Manufacturer

Microchip

Mounting Styles

螺钉安装

Continuous Collector Current at 25 C

105 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

系列

*

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

379 W

技术

Si

额定电流

105 A

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

379 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

105 A

最大集极截止电流

330 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

3.1 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 60A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.1 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

辐射硬化

无

无铅

无铅