Microchip APT70GR120JD60

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4

供应商器件包装

SOT-227

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2

Schedule B

8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

112 A

Base Product Number

APT70GR120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

543 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Continuous Collector Current at 25 C

112 A

Mounting Styles

螺钉安装

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最大功率耗散

543 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

543

功率 - 最大

543 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.2 V

最大集电极电流

112 A

最大集极截止电流

1.1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

7.26 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 70A

连续集电极电流

112

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

7.26 nF @ 25 V

无铅

无铅