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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥274.437186
10
¥258.903004
100
¥244.248116
500
¥230.422753
1000
¥217.379955
APT80GP60JDQ3详情
Microchip APT80GP60JDQ3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
底架
Screw
引脚数
4
供应商器件包装
ISOTOP®
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
151 A
Base Product Number
APT80GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rating (DC)
600 V
RoHS
Compliant
Pd - Power Dissipation
462 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Continuous Collector Current at 25 C
151 A
Mounting Styles
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
系列
POWER MOS 7®
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
额定电流
151 A
配置
Single
元素配置
Single
功率耗散
462
功率 - 最大
462 W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
151 A
最大集极截止电流
1.25 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 80A
连续集电极电流
151
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
9.84 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
无铅
无铅
APT80GP60JDQ3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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