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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥701.265622
10
¥661.571342
100
¥624.12391
500
¥588.796139
1000
¥555.468056
APTCV60HM45BC20T3G详情
Microchip APTCV60HM45BC20T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
底架
底座安装
引脚数
3
供应商器件包装
SP3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Base Product Number
APTCV60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
子类别
Discrete Semiconductor Modules
最大功率耗散
250 W
技术
Si
配置
Boost Chopper, Full Bridge
功率 - 最大
250 W
输入
Standard
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
集电极发射器电压(VCEO)
1.9 V
最大集电极电流
50 A
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
输入电容
3.15 nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 50A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.15 nF @ 25 V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
APTCV60HM45BC20T3G拓展信息
Microchip Technology
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