Microchip APTCV60HM45BT3G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

底架

底座安装

引脚数

3

供应商器件包装

SP3

Switching Regulator

有

Maximum Input Voltage

40 V

SwitchingFrequency

1750 kHz

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

APTCV60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

-40 to 125 °C

系列

-

包装

Tube

类型

Step Down

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

250 W

技术

Si

输出的数量

1

效率

92 %

输出电压

5 V

输出类型

固定式

工作电源电压

4.5000, 40.0000 V

配置

Boost Chopper, Full Bridge

功率耗散

250 W

输出电流

0.35 A

接通延迟时间

110 ns

功率 - 最大

250 W

输入

Standard

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

集电极发射器电压(VCEO)

1.9 V

最大集电极电流

50 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

筛选水平

扩展工业

输入电容

3.15 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 50A

最大结点温度（Tj）

150 °C

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

3.15 nF @ 25 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

高度

12.1 mm