Microchip APTCV60TLM24T3G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

Free Hanging (In-Line)

包装/外壳

Module

底架

通孔

越来越多的功能

-

引脚数

24

外壳材料

铝合金

供应商器件包装

SP3

Contact Finish Mating

Gold

Product Status

活跃

厂商

ITT Cannon, LLC

Base Product Number

KJB6T

Primary Material

Metal

Package

Bulk

Voltage, Rating

-

Current-Collector (Ic) (Max)

100 A

Vr - Reverse Voltage

600 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

21 ns, 110 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V, 5 V

Pd - Power Dissipation

462 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

24 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns, 200 ns

Id - Continuous Drain Current

95 A

系列

KJB

操作温度

-65°C ~ 175°C

包装

Tube

终端

Crimp

连接器类型

Plug, Male Pins

类型

3-Phase Inverter

定位的数量

53

颜色

橄榄色

紧固类型

Threaded

子类别

Discrete Semiconductor Modules

额定电流

-

技术

Si

方向

N (Normal)

屏蔽/屏蔽

Shielded

入口保护

抗环境干扰

外壳完成

橄榄色镉

外壳尺寸-插入

23-53

配置

三级逆变器

元素配置

Dual

外壳尺寸，MIL

-

功率 - 最大

250 W

上升时间

30 ns, 45 ns

输入

Standard

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

75 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

4.62 nF @ 25 V

产品

功率MOSFET模块

特征

-

Vf-正向电压

2.2 V at 60 A

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)

辐射硬化

无