Microchip APTCV60TLM45T3G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

24

供应商器件包装

SP3

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 A

Base Product Number

APTCV60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

600 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

21 ns, 110 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V, 5 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

45 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns, 200 ns

Id - Continuous Drain Current

49 A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

类型

3-Phase Inverter

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

250 W

技术

Si

配置

Three Level Inverter - IGBT, FET

元素配置

Dual

功率 - 最大

250 W

上升时间

30 ns, 45 ns

输入

Standard

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

100 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

4.62 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

4.62 nF @ 25 V

产品

功率MOSFET模块

Vf-正向电压

2.2 V at 60 A

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无