APTGF200U120DG
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Microchip APTGF200U120DG

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型号

APTGF200U120DG

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTGF200U120DG

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 275A 5-Pin Case SP6

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APTGF200U120DG
APTGF200U120DG Microchip Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 275A 5-Pin Case SP6

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APTGF200U120DG详情

Microchip APTGF200U120DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    5

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer

    Honeywell-Microswitch

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    100 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    400 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APTGF200U120DG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.72

  • Part Package Code

    MODULE

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 最大功率耗散

    1.136 kW

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    通用开关

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2 kV

  • 最大集电极电流

    275 A

  • 输入电容

    13.8 nF

  • 最大耗散功率(Abs)

    1130 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    275 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.7 V

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