APTGF30H60T1G详情
Microchip APTGF30H60T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
供应商器件包装
SP1
介电材料
CERAMIC
终端数量
2
Package Style
SMT
Operating Temperature-Min
-55
Operating Temperature-Max
125
Manufacturer Series
1812
Package Shape
矩形包装
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
42 A
厂商
微芯片技术
Product Status
Obsolete
系列
SIZE(MID/HIGH VOLT)
操作温度
-
JESD-609代码
e3
温度系数
15%
端子表面处理
镍镀锡
电容量
0.0012uF
包装方式
TR, PLASTIC, 7 INCH
电容式
陶瓷电容器
温度特性代码
X7R
多层
有
配置
全桥逆变器
尺寸代码
1812
正容差
20
负公差
20
功率 - 最大
140 W
输入
Standard
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 30A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.35 nF @ 25 V
宽度
3.2
高度
1.25
长度
4.5
APTGF30H60T1G拓展信息
Microchip Technology
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