APTGF50VDA60T3G详情
Microchip APTGF50VDA60T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
底架
Chassis Mount, Through Hole
引脚数
20
供应商器件包装
SP3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
65 A
厂商
微芯片技术
Product Status
Obsolete
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
RoHS
Compliant
操作温度
-
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
250 W
配置
双升压斩波器
元素配置
Dual
功率 - 最大
250 W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
65 A
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
输入电容
2.2 nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
2.2 nF @ 25 V
APTGF50VDA60T3G拓展信息
Microchip Technology
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