APTGLQ100H65T3G详情
Microchip APTGLQ100H65T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
SP3F
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
135 A
Base Product Number
APTGLQ100
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Pd - Power Dissipation
350 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Unit Weight
3.880136 oz
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
135 A
Mounting Styles
底座安装
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
全桥
功率 - 最大
350 W
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
50 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 100A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
6.15 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
APTGLQ100H65T3G拓展信息
Microchip Technology
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