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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3180.444958
10
¥3000.419772
100
¥2830.584687
500
¥2670.362916
1000
¥2519.210295
APTGLQ200H120G详情
Microchip APTGLQ200H120G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
供应商器件包装
SP6
Manufacturer
Miscellaneous
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
350 A
Base Product Number
APTGLQ200
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Pd - Power Dissipation
1 kW
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Continuous Collector Current at 25 C
350 A
Mounting Styles
底座安装
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
配置
全桥
功率 - 最大
1000 W
输入
Standard
最大集极截止电流
100 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 200A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
12.3 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
APTGLQ200H120G拓展信息
Microchip Technology
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