Microchip APTGT100A60T1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

12

供应商器件包装

SP1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

150 A

Base Product Number

APTGT100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

340 W

配置

半桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

340 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

150 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

6.1 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 100A

连续集电极电流

150

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

6.1 nF @ 25 V

辐射硬化

无