Microchip APTGT150DH170G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

8

供应商器件包装

SP6

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

250 A

Base Product Number

APTGT150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7 kV

RoHS

Compliant

Brand

微芯片技术

Manufacturer

Microchip

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

操作温度

-

系列

-

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

890 W

配置

不对称桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

890 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

1.7 kV

最大集电极电流

250 A

最大集极截止电流

350 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700 V

输入电容

13.5 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 150A

连续集电极电流

250

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

13.5 nF @ 25 V

产品类别

IGBT模块