Microchip APTGT150DU120G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

220 A

Base Product Number

APTGT150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

690 W

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current at 25 C

220 A

Mounting Styles

底座安装

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

335 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

610 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT150DU120G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.14

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

Dual, Common Source

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

690 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

350 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 150A

集电极电流-最大值(IC)

220 A

连续集电极电流

220

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

10.7 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块