Microchip APTGT150SK120TG

底架

底座安装

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

335 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

610 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT150SK120TG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

690 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.1 V

最大集电极电流

220 A

输入电容

10.7 nF

最大耗散功率(Abs)

690 W

集电极电流-最大值(IC)

220 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.1 V