Microchip APTGT30H60T1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

12

供应商器件包装

SP1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

APTGT30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

90 W

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Unit Weight

2.821917 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

50 A

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

90 W

技术

Si

配置

全桥逆变器

功率耗散

90

功率 - 最大

90 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

50 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

1.6 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

连续集电极电流

50

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

1.6 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

辐射硬化

无