Microchip APTGT400A120D3G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

D-3 Module

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

11

供应商器件包装

D3

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

580 A

Base Product Number

APTGT400

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Pd - Power Dissipation

2.1 kW

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current at 25 C

580 A

Mounting Styles

底座安装

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

2.1 kW

配置

半桥

元素配置

Dual

功率耗散

2.1

功率 - 最大

2100 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

580 A

最大集极截止电流

750 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

29 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 400A

连续集电极电流

580

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

29 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

辐射硬化

无