APTGT50DH120TG详情
Microchip APTGT50DH120TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
20
供应商器件包装
SP4
Manufacturer Part Number
78101105440
Manufacturer
Cooper B-Line
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
75 A
Base Product Number
APTGT50
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
420 ns
Pd - Power Dissipation
277 W
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Mounting Styles
底座安装
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
277 W
配置
不对称桥
元素配置
Dual
接通延迟时间
90 ns
功率 - 最大
277 W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
75 A
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
输入电容
3.6 nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 50A
连续集电极电流
75
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.6 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
辐射硬化
无
无铅
无铅
APTGT50DH120TG拓展信息
Microchip Technology
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