APTGT750U60D4G详情
Microchip APTGT750U60D4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial, Can
安装类型
通孔
供应商器件包装
D4
表面贴装的焊盘尺寸
--
Lead Free Status / RoHS Status
--
Lifetime @ Temp.
500 Hrs @ 85°C
Voltage Rated
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1000 A
Base Product Number
APTGT750
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Pd - Power Dissipation
2.3 kW
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Continuous Collector Current at 25 C
1 kA
Mounting Styles
底座安装
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
操作温度
-20°C ~ 85°C
系列
39D
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.760 Dia x 2.642 L (19.30mm x 67.10mm)
容差
-10%, +50%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
应用
通用型
电容量
250µF
ESR(等效串联电阻)
--
引线间距
--
配置
Single
极化
Polar
功率耗散
2.3
功率 - 最大
2300 W
输入
Standard
最大集极截止电流
1 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 800A
连续集电极电流
1
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
49 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
座位高度(最大)
--
评级结果
--
APTGT750U60D4G拓展信息
Microchip Technology
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