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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥930.743991
10
¥878.06037
100
¥828.358843
500
¥781.470599
1000
¥737.236419
APTGT75DU120TG详情
Microchip APTGT75DU120TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
供应商器件包装
SP4
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 A
Base Product Number
APTGT75
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Pd - Power Dissipation
350 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Mounting Styles
底座安装
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
配置
Dual, Common Source
功率 - 最大
350 W
输入
Standard
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 75A
连续集电极电流
100
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
5.34 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
APTGT75DU120TG拓展信息
Microchip Technology
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