Microchip ARF475FL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

-

底架

Screw

引脚数

8

供应商器件包装

-

材料

Polyurethane Foam, Nickel-Copper Polyester (NI/CU)

形状

C-Fold

Continuous Drain Current Id

10

Package

Bulk

Base Product Number

ARF475

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rated

500 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.3 V

Pd - Power Dissipation

910 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

3.271433 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Forward Transconductance - Min

3 mS

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

10 A

Voltage, Rating

500 V

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

Mounting Styles

法兰安装

Rds On - Drain-Source Resistance

-

操作温度

--

系列

--

零件状态

活跃

类型

泡沫外覆织物

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

额定电流

10A

最大功率耗散

910 W

技术

MOSFET

额定电流

10 A

频率

128MHz

工作频率

150 MHz

配置

2 N-Channel (Dual) Common Source

镀层

--

附着方法

Adhesive

功率耗散

910

输出功率

900 W

接通延迟时间

5.1 ns

测试电流

15 mA

测试电流

15 mA

上升时间

4.1 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

10 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

16dB

最高频率

150 MHz

最大输出功率

900 W

信道型

N

功率 - 输出

900W

噪声图

-

电压-测试

150 V

测试电压

150 V

产品类别

射频MOSFET晶体管

宽度

0.421 (10.70mm)

高度

0.386 (9.80mm)

长度

4.400 (111.76mm)

电镀厚度

--

辐射硬化

无

无铅

无铅