Microchip Technology APT100GF60JU3

包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

质量

30.000004 g

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1 V

Continuous Collector Current at 25 C

120 A

Gate-Emitter Leakage Current

150 nA

Pd - Power Dissipation

416 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Tradename

ISOTOP

Unit Weight

1.058219 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

120 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Obsolete

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

包装

Bulk

操作温度

-

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

416 W

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

416 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

120 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

100 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

4.3 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

4.3 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

辐射硬化

无