Microchip Technology APT100GT120JR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2 V

Continuous Collector Current at 25 C

123 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

570 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

123 A

Base Product Number

APT100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

570 W

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

570 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

123 A

最大集极截止电流

100 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

6.7 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 100A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.7 nF @ 25 V

产品

IGBT碳化硅模块

辐射硬化

无