Microchip Technology APT100GT60JRDQ4

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

供应商器件包装

ISOTOP®

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1 V

Continuous Collector Current at 25 C

148 A

Gate-Emitter Leakage Current

300 nA

Pd - Power Dissipation

500 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1.030000 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

148 A

Base Product Number

APT100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

配置

Single

功率 - 最大

500 W

输入

Standard

最大集极截止电流

50 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

5.15 nF @ 25 V

产品

IGBT碳化硅模块