Microchip Technology APT150GN60J
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APT150GN60J
1610-APT150GN60J
晶体管 - IGBT - 模块
SOT-227-4
大陆
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IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227View in Development Tools Selector
--最小包装量--
APT150GN60J详情
Microchip Technology APT150GN60J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
SOT-227-4
安装类型
底座安装
供应商器件包装
ISOTOP®
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
220 A
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Pd - Power Dissipation
536 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Mounting Styles
底座安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Tradename
ISOTOP
Unit Weight
1.058219 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
220 A
Base Product Number
APT150
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率 - 最大
536 W
输入
Standard
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
最大集极截止电流
25 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 150A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
9.2 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
宽度
25.4 mm
APT150GN60J拓展信息
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