Microchip Technology APT200GT60JR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current at 25 C

195 A

Gate-Emitter Leakage Current

300 nA

Pd - Power Dissipation

500 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Unit Weight

1.030000 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

195 A

Base Product Number

APT200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

500 W

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

500 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

195 A

最大集极截止电流

25 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

8.65 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 200A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

8.65 nF @ 25 V

产品

IGBT碳化硅模块

辐射硬化

无