Microchip Technology APT50GF60JU2

包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SOT-227

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1 V

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

277 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Tradename

ISOTOP

Unit Weight

1.058219 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Obsolete

操作温度

-

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

277 W

输入

Standard

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

40 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

2.25 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm