Microchip Technology APT60GF120JRDQ3

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Pd - Power Dissipation

625 W

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Continuous Collector Current at 25 C

149 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

RoHS

Details

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

149 A

Base Product Number

APT60GF120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

625 W

额定电流

115 A

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

625

功率 - 最大

625 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

149 A

最大集极截止电流

350 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

7.08 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 100A

连续集电极电流

149

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

7.08 nF @ 25 V

产品

IGBT碳化硅模块

辐射硬化

无

无铅

无铅