Microchip Technology APT65GP60JDQ2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

底架

Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2 V

Continuous Collector Current at 25 C

130 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

431 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.264236 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

130 A

Base Product Number

APT65GP60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rating (DC)

600 V

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

额定电流

198 A

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

431

功率 - 最大

431 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

130 A

最大集极截止电流

1.25 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 65A

连续集电极电流

130

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

7.4 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

辐射硬化

无

无铅

无铅