Microchip Technology APT75GP120J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

质量

30.000004 g

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

Continuous Collector Current at 25 C

128 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

543 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

Unit Weight

1.058219 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

128 A

Base Product Number

APT75GP120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

163 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

543 W

额定电流

128 A

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

543

接通延迟时间

20 ns

功率 - 最大

543 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

128 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

7.04 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 75A

连续集电极电流

128

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

7.04 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅