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1

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10

￥318.275225
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500

￥283.263821
1000

￥267.230021

Microchip Technology APT75GP120JDQ3

Name: APT75GP120JDQ3
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APT75GP120JDQ3
Price: 337.37 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT75GP120JDQ3

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APT75GP120JDQ3

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227View in Development Tools Selector

起订量

--最小包装量--

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APT75GP120JDQ3 Microchip Technology IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227View in Development Tools Selector

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APT75GP120JDQ3详情

技术参数

Microchip Technology APT75GP120JDQ3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SOT-227-4
安装类型

底座安装
供应商器件包装

ISOTOP®
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V
Continuous Collector Current at 25 C

128 A
Gate-Emitter Leakage Current

100 nA
Pd - Power Dissipation

543 W
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage

20 V
Mounting Styles

底座安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Tradename

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
Unit Weight

1.058219 oz
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

128 A
Base Product Number

APT75GP120
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

POWER MOS 7®
配置

Single
功率耗散

543
功率 - 最大

543 W
输入

Standard
工作温度范围

- 55 C to + 150 C
最大集极截止电流

1.25 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 75A
连续集电极电流

128
IGBT类型

PT
NTC热敏电阻

无
输入电容(Cies)@Vce

7.04 nF @ 25 V
产品

IGBT硅模块
高度

9.6 mm
长度

38.2 mm
宽度

25.4 mm

0个相似型号

APT75GP120JDQ3拓展信息

热销零件