Microchip Technology APTGF50DH120T3G

包装/外壳

SP3-32

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

16

供应商器件包装

SP3

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2 V

Continuous Collector Current at 25 C

70 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

312 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

70 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Obsolete

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

操作温度

-

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

312 W

配置

不对称桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

312 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

70 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

3.45 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 50A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

3.45 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块